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英飛凌收購賽普拉斯計劃已通過美國CFIUS審查,交易尚待中國監管機構批準
英飛凌收購賽普拉斯計劃已通過美國CFIUS審查,交易尚待中國監管機構批準

(2020年3月10日,德國慕尼黑和加州圣荷西訊)美國外國投資委員會(CFIUS)已根據國防生產法第721條款(Defense Production Act of 1950),完成對英飛凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)收購賽普拉斯半導體公司計劃的審查(該計劃于2019年6月3日宣布)。 CFIUS批準該項交易。 這項收購案仍須獲得中國國家市場監督管理總局(SAMR)的批準,并需滿足收購協議中其他慣例成交條件。 免責聲明 本新聞稿包含與英飛凌集團有關的前瞻性敘述是基于當前信息的預測。受限于眾多不確定性和風險,因此實際發展可能與預期情況有所不同...

2021-01-02
基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET
基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET

2020年2月13日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰,來實現系統創新和組件水平的改進。“源極底置”是符合行業標準的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批基于該封裝概念的功率MOSFET,它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業標桿,不僅通態電阻(RDS(on))降低,還具有業內領先的熱性能指標。該產品適合的應用非常廣泛,包括馬達驅動、SMPS(包括服務器、電信和OR-ing)和電池管理等等。   新封裝概念將源極(而非傳統的漏極)...

2021-01-02
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